Мајкрон“ пред објавувањето на резултатите: ниска цена, но висок ризик од врв на циклусот
FinPortal.mk · 21.9.2026 г.
„Мајкрон текнолоџи“ (NASDAQ: MU) е еден од најголемите добитници од бумот на вештачката интелигенција. Компанијата е меѓу трите глобални играчи што можат да произведуваат напредна DRAM-меморија, а нејзините финансиски резултати значително се подобрија благодарение на огромната глад за меморија на системите со вештачка интелигенција. Како што ерата на ВИ преминува од генеративна во агентна фаза, овие потреби, според изворот, само ќе растат. Тоа се одрази и на цената на акцијата, која во последните пет години оствари вкупен принос од 1.300 отсто. По толку голем раст, прашањето е дали акцијата сè уште вреди да се купи. „Мајкрон“ ги објавува резултатите за четвртиот фискален квартал на 30 септември. Компанијата моментално се тргува по 22,9 пати повеќе од минатогодишната заработка, но само 6,6 пати од проценките за претстојната фискална година, која завршува во август 2027 година. Причината за нискиот однос лежи во тоа што „Мајкрон“ традиционално е високо цикличен бизнис, а инвеститорите стравуваат дека големите проценки за следната година ќе го означат врвот на циклусот. Има неколку причини за таквиот страв. Мемориските циклуси обично траат само околу две години, а силниот раст започна пред околу една година, што значи дека следната година би можела да биде кулминација на двогодишниот циклус. Покрај тоа, „Мајкрон“ и неговите главни конкуренти вложија значително во нови фабрики за меморија што треба да почнат да работат во 2028 година. „Мајкрон“ има шест нови проекти за фабрики во развој, покрај плановите за проширување на постојните капацитети. Нејзината нова фабрика во Ајдахо ќе почне да работи следната година, а производство на DRAM-плочки ќе започне во 2028 година. Главните корејски конкуренти исто така градат нови фабрики, кои ќе почнат да работат во 2028 и 2029 година. Дополнителна грижа е тоа што „Нвидија“ (NASDAQ: NVDA) изгледа го намалила стандардот за меморија за своите претстојни системи „Рубин“ на 4-слојна меморија со висок пропусен опсег (HBM), наместо првич